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参数资料
| 型号： | FDB2710 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 50A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 101nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7280pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 260W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB2710DKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
-55 C
25 C
500
100
10
V GS
Top : 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
250
100
10
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
1
4
* Notes :
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
6 8
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
10
100 * Notes :
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.07
0.06
0.05
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
150
1. V GS =0V
2. 250 μ s Pulse Test
T A = 150 C
T A = 25 C
0.04
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
0.03
* Note : T J = 25 C
0.02
0
25
50 75 100 125
I D , Drain Current [A]
o
150
1
0. 2
0.4 0. 6 0.8 1. 0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1 . 2
6000
V DS = 125V
Figure 5. Capacitance Characteristics
9000
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
C iss
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
V DS = 50V
8
V DS = 200V
6
3000
C oss
C rss
* Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
4
2
0
10
10
10
- 1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
10
* Note : I D = 50A
20 3 0 4 0 50 60 7 0
Q g , Total Gate Charge [nC]
80
?200 6 Fairchild Semiconductor Corporation
FD B 2710 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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