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参数资料
| 型号： | FDB390N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 27A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1285pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
200
100
V GS = 15.0V
10.0V
8.0V
7.0V
200
100
*Notes:
1. V DS = 10V
2. 250 μ s Pulse Test
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
175 C
25 C
-55 C
10
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
10
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.1
1
o
5
1
2
3 4 5 6
7
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
80
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
200
100
60
175 C
25 C
V GS = 10V
o
o
10
40
V GS = 20V
*Notes:
*Note: T C = 25 C
20
0
20
40 60
80 100
o
1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0 1.2
1.3
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
2000
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
C iss
8
V DS = 30V
V DS = 75V
V DS = 120V
100
10
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
C oss
6
4
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C rss
2
Crss = Cgd
1
0.1
1 10
100 200
0
0
*Note: I D = 27A
4 8 12
16
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB390N15A Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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