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参数资料
| 型号： | FDB390N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 27A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1285pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
I G = const .
Figure 14. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 15. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 16. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB390N15A Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB44N25TM | MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK |
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| FDB6030L | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK |
| FDB6670AL | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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