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参数资料
| 型号： | FDB390N15A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 27A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 27A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1285pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 75W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.12
1.08
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.8
2.4
2.0
1.04
1.6
1.00
1.2
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.96
0.92
-80
-40
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
0 40 80 120 160 200
o
0.8
0.4
-80
-40
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 27A
0 40 80 120 160 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
300
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
30
100
10
10 μ s
100 μ s
25
20
V GS = 10V
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1ms
10ms
15
10
1. T C = 25 C
2. T J = 175 C
R θ JC = 2.0 C/W
T C , Case Temperature [ C ]
0.1
0.01
1
*Notes: DC
o
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
200
5
0
25
o
50 75 100 125 150
o
175
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
1.2
1.0
0.8
12
10
If R = 0
t AV = (L) ( I AS ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD )
If R = 0
t AV = (L/R)In [( I AS *R ) / ( 1.3*RATED BV DSS -V DD ) +1 ]
o
STARTING T J = 25 C
STARTING T J = 150 C
0.6
o
0.4
0.2
0.0
0
30 60 90 120
V DS , Drain to Source Voltage [ V ]
150
1
0.01
0.1 1
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
10 20
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB390N15A Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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