- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDB8445 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB8445 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3805pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 92W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB8445DKR |
Typical Characteristics
1.2
1.0
100
80
CURRENT LIMITED
BY WIRE
V GS = 10V
0.8
60
0.6
40
0.4
0.2
20
0.0
0
25
50 75 100 125 150
175
0
25
50 75 100 125 150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P DM
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10
10
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4 -3 -2 -1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
0
1
2000
1000
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
175 - T C
I = I 25
150
100
V GS = 10V
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3 -2 -1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
0
1
Figure 4. Peak Current Capability
FDB8445 Re v A 1 (W)
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB8447L | MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK |
| FDB8453LZ | MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB |
| FDB86102LZ | MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK |
| FDB86135 | MOSFET N-CH 100V D2PAK |
| FDB8832 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB8445_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 70A, 9m?? |
| FDB8445_F085 | 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8447L | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB8453LZ | 功能描述:MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。