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参数资料
| 型号： | FDB8445 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 70A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 70A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 62nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3805pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 92W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB8445DKR |
Typical Characteristics
1000
100
10us
500
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1 ]
100us
10
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
10
STARTING T J = 25 o C
1
T C = 25 o C
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
1ms
10ms
STARTING T J = 150 o C
0.1
1
LIMITED BY r DS(on)
10
DC
100
1
0.01
0.1
1
10
100
400
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
C apability
T J = 175 C
140
120
100
80
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 5V
o
140
120
100
80
V GS = 10V
V GS = 5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4.5V
60
60
40
20
0
2.0
2.5
T J = 25 o C
3.0 3.5
4.0
T J = -55 o C
4.5 5.0
5.5
6.0
40
20
0
0
V GS = 4V
V GS = 3.5V
1 2 3
4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation Characteristics
20
16
I D = 70A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T J = 175 o C
2.0
1.8
1.6
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.4
12
1.2
1.0
8
T J = 25 o C
0.8
I D = 70A
V GS = 10V
4
5 6 7 8 9
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE ( V )
10
0.6
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
Figure 9. On-Resistance vs Gate to Source
Voltage
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
FDB8445 Re v A 1 (W)
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDB8453LZ | 功能描述:MOSFET 40V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB86102LZ | 功能描述:MOSFET 100V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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