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参数资料
| 型号： | FDB8896 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 93A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.7 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 67nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2525pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 80W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB8896DKR |
Typical Characteristics T C = 25 ° C unless otherwise noted
1.2
100
CURRENT LIMITED
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
80
60
40
20
V GS = 4.5 V
BY PACKAGE
V GS = 10 V
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1000
T C = 25 o C
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
50
V GS = 4.5V
I = I 25
175 - T C
150
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB8896 Rev. B 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC2512_F095 | MOSFET N-CH 150V 1.4A 6-SSOT |
| FDC2612_F095 | MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT |
| FDC3512_F095 | MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT |
| FDC3535 | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT |
| FDC3601N | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB8896_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDB8896_F085 | 功能描述:MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB9403 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 40V, 110A, 1.2m?? |
| FDB9403_F085 | 功能描述:MOSFET 40V 110A 1.2m? N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB9406_F085 | 功能描述:MOSFET 40V, 110A, 1.8m Ohm NChannel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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