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参数资料
| 型号： | FDC3535 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 183 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 880pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC3535DKR |
FDC3535
P-Channel Power Trench ? MOSFET
-80 V, -2.1 A, 183 m Ω
Features
Max r DS(on) = 183 m Ω at V GS = -10 V, I D = -2.1 A
Max r DS(on) = 233 m Ω at V GS = -4.5 V, I D = -1.9 A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package
Fast switching speed
100% UIL Tested
RoHS Compliant
S
June 2010
General Description
This P-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been optimized for r DS(on) , switching performance and
ruggedness.
Applications
Load Switch
Synchronous Rectifier
D
S
4
3
G
D
D
5
2
D
G
D
Pin 1
D
D
6
1
D
SuperSOT
TM
-6
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
-80
±20
Units
V
V
I D
E AS
P D
T J , T STG
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
-2.1
-10
37
1.6
0.7
-55 to +150
A
mJ
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
30
78
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.535
Device
FDC3535
Package
SSOT-6
Reel Size
7 ’’
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC3535 Rev. C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC3601N | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 |
| FDC3612_F095 | MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT |
| FDC365P | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5612_F095 | MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5614P_D87Z | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC3601N | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC3601N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC3612 | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC3612 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC3612_F095 | 功能描述:MOSFET 100V 2.6A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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