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参数资料
| 型号： | FDC3535 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 183 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 880pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC3535DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
V GS = -10 V
V GS = -4.5 V
4
8
V GS = -3.5 V
3
V GS = -2.5 V
V GS = -3 V
6
2
V GS = -3.5 V
4
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = -3 V
2
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -2.5 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = -4.5 V
V GS = -10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4 6
8
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
600
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
1.8
I D = - 2.1 A
V GS = -10 V
500
I D = -2.1 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
400
300
200
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
100
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
10
20
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
8
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
6
V DS = -5 V
1
T J = 150 o C
4
0.1
T J = 25 o C
2
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC3535 Rev. C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC3601N | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 |
| FDC3612_F095 | MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT |
| FDC365P | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5612_F095 | MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5614P_D87Z | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC3601N | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC3601N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC3612 | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC3612 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC3612_F095 | 功能描述:MOSFET 100V 2.6A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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