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参数资料
| 型号： | FDC3535 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 80V 6-SSOT |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 183 毫欧 @ 2.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 880pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC3535DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
I D = -2.1 A
1000
C iss
V DD = -40 V
6
V DD = -30 V
V DD = -50 V
100
4
C oss
2
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0
0
3
6
9
12
15
10
0.1
1
10
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
7
2.5
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
6
T J = 25 o C
2.0
5
4
T J = 100 o C
1.5
V GS = -10 V
V GS = -4.5 V
1.0
3
R θ JA = 78 C/W
2
T J = 125 o C
0.5
o
1
0.01
0.1
1
10
0.0
25
50
75
100
125
150
T C , Ambient TEMPERATURE ( C )
20
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
1000
R θ JA = 175 C/W
T A = 25 C
10
1
THIS AREA IS
100 us
1 ms
10 ms
100
V GS = -10 V
SINGLE PULSE
o
o
0.1
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
100 ms
10
10
10
10
10
0.01
0.005
0.1
TJ = MAX RATED
R θ JA = 175 o C/W
TA = 25 o C
1
10
1s
10 s
DC
100
300
1
0.5
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC3535 Rev. C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC3601N | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 |
| FDC3612_F095 | MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT |
| FDC365P | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5612_F095 | MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5614P_D87Z | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC3601N | 功能描述:MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC3601N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC3612 | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC3612 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC3612_F095 | 功能描述:MOSFET 100V 2.6A N-CH POWERTRENCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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