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参数资料
| 型号： | FDC365P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 705pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC365PDKR |
November 2007
FDC365P
P-Channel PowerTrench ? MOSFET
-35V, -4.3A, 55m ?
Features
Max r DS(on) = 55m ? at V GS = -10V, I D = -4.2A
Max r DS(on) = 80m ? at V GS = -4.5V, I D = -3.2A
RoHS Compliant
tm
General Description
This P-Channel MOSFET has been produced using Fairchild
Semiconductor’s proprietary PowerTrench ? technology to
deliver low r DS(on) and optimized Bvdss capability to offer
superior performance benefit in the applications.
Applications
Inverter
Power Supplies
S
D
D
1
6
D
D
D
2
5
D
G
Pin 1
D
D
G
3
4
S
SuperSOT TM -6
MOSFET Maximum Ratings T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
-35
±20
Units
V
V
I D
P D
T J , T STG
-Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 1b)
-4.3
-20
1.6
0.8
-55 to +150
A
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
78
156
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.365P
Device
FDC365P
Package
SSOT6
Reel Size
7’’
Tape Width
8mm
Quantity
3000 units
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC365P Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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