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参数资料
| 型号： | FDC365P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 705pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC365PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
20
16
V GS = -10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
4.0
3.5
V GS = -3V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = -4.5V
3.0
12
V GS = -4V
2.5
V GS = -3.5V
V GS = -4V
8
2.0
4
V GS = -3.5V
V GS = -3V
1.5
1.0
V GS = -4.5V
V GS = -10V
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
4
8 12
16
20
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
- I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
200
1.4
I D = - 4.2A
V GS = -10V
160
I D = -4.2A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
1.2
1.0
120
80
T J = 125 o C
0.8
0.6
40
0
T J = 25 o C
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
20
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
16
12
8
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DS = -5V
T J = 150 o C
10
1
0.1
V GS = 0V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
4
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
0
1
2
T J = -55 o C
3
4
5
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC365P Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
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