- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDC365P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC365P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 4.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 705pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC365PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
I D = -4.2A
V DD = -20V
V DD = -15V
V DD = -25V
1000
C iss
4
2
100
f = 1MHz
V GS = 0V
C oss
C rss
0
0
3
6
9
12
30
0.1
1
10
35
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
30
400
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
R θ JA = 156 C/W
T A = 25 C
10
0.1ms
100
V GS = -10V
SINGLE PULSE
o
o
1ms
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
R θ JA = 156o C/W
TA = 25o C
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
1
10
10
10
0.01
0.1
1
10
100
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
2
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power Dissipation
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
0.02
0.01
t 1
R θ JA = 156 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC365P Rev.C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC5612_F095 | MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5614P_D87Z | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
| FDC5661N_F085 | MOSFET N-CH 60V 6-SSOT |
| FDC602P_F095 | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT |
| FDC604P | MOSFET P-CH 20V 5.5A SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC365P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDC3755C | 制造商:ELMEC 功能描述: |
| FDC37665IRTQFP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:SMSC 功能描述: |
| FDC37669QFP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDC37B692QFP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:SMSC 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。