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参数资料
| 型号： | FDC2612_F095 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 725 毫欧 @ 1.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 234pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
4
V GS = 10V
6.5V
6.0V
1.4
1.3
3
1.2
V GS = 4.0V
2
5.5V
1.1
4.5V
5.0V
6.0V
10V
1
1
0
0
2
4
6
8
10
0.9
0
1
2
3
4
2.6
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
1.5
2.2
I D = 1.1A
V GS =10V
1.3
I D = 0.6A
1.8
1.1
1.4
1
0.6
0.9
0.7
T A = 25 o C
T A = 125 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.2
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
0.5
4
5
6 7 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
9
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
8
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
10
6
4
V DS = 25V
1
0.1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 o C
T A = 125 o C
0.01
-55 o C
2
25 o C
-55 o C
0.001
0
3
4 5 6
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
7
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC2612 Rev B3(W)
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