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参数资料
| 型号： | FDC2612_F095 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 725 毫欧 @ 1.1A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 234pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
15
350
12
I D = 1.1A
V DS = 50V
100V
300
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
9
6
3
0
150V
250
200
150
100
50
0
C OSS
C RSS
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
100
125
150
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1
R DS(ON) LIMIT
1ms
10ms
100 μ s
30
SINGLE PULSE
R θ JA = 156°C/W
T A = 25°C
100ms
0.1
DC
1s
20
V GS = 10V
T A = 25 C
0.01
0.001
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
o
10
0
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 156°C/W
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P(pk )
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDC2612 Rev B3(W)
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