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参数资料
| 型号： | FDC3612_F095 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 125 毫欧 @ 2.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
20
V GS = 10V
4.5V
1.8
16
5.0V
1.6
V GS = 3.5V
4.0V
12
1.4
4.0V
8
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
10V
4
3.5V
1
0
0
2
4
6
8
0.8
0
4
8
12
16
20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2.2
I D = 2.6A
V GS = 10V
0.26
0.23
I D = 1.3A
1.8
1.4
1
0.6
0.2
0.17
0.14
0.11
0.08
T A = 25 o C
T A = 125 o C
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
0.2
-50
-25
0 25 50 75 100
o
125
150
0.05
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
20
16
V DS = 5V
100
10
V GS = 0V
T A = 125 o C
1
12
0.1
25 o C
8
T A = 125 o C
0.01
-55 o C
25 o
4
0.001
0
2
-55 o C
2.5 3 3.5
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
4
4.5
0.0001
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
1.2
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDC3612 Rev B 4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC365P | MOSFET P-CH 35V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5612_F095 | MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-SSOT |
| FDC5614P_D87Z | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
| FDC5661N_F085 | MOSFET N-CH 60V 6-SSOT |
| FDC602P_F095 | MOSFET P-CH 20V 5.5A 6SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC3616N | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC3616N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDC3616N_Q | 功能描述:MOSFET 100V NCh PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC365P | 功能描述:MOSFET -35V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC365P_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench MOSFET |
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