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参数资料
| 型号： | FDC610PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.9A SSOT-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 4.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1005pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC610PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
I D = -4.9A
2000
8
6
4
V DD = -10V
V DD = -15V
V DD = -20V
1000
C iss
C oss
2
100
f = 1MHz
C rss
0
0
4
8
12
16
20
50
0.1
V GS = 0V
1
10
30
10
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
5
30
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
4
V DS = 0V
10
100us
10
3
10
10
2
1
T J =
150 o C
1
SINGLE PULSE
1ms
10ms
10
10
10
10
T A = 25 C
0
-1
-2
-3
0
5
10
15
20
T J = 25 o C
25
30
35
0.1
0.01
0.1
T J = MAX RATED
R θ JA = 156 o C/W
o
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
1
10
100ms
1s
10s
DC
100
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
1000
V GS = -10V
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
SINGLE PULSE
R θ JA = 156 o C/W
T A = 25 o C
100
10
1
10
10
10
10
10
10
10
10
0.5
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Di ssipation
FDC610PZ Rev . B
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDC6302P | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC610PZ | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET -30V 4.9mA |
| FDC610PZ_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR |
| FDC6301 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel , Digital FET |
| FDC6301N | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6301N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET NN CH 25V 0.22A SSOT6 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NN CH, 25V, 0.22A, SSOT6 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NN CH, 25V, 0.22A, SSOT6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV ;RoHS Compliant: Yes |
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