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参数资料
| 型号： | FDC6301N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Design/Process Change 11/May/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 400mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1216 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6301NDKR |
Typical Electrical Characteristics
0.5
V GS = 4.5V
3.5
1.4
0.4
3.0
2.7
1.2
V GS = 2.0V
0.3
2.5
1
2.5
2.7
3.0
0.2
2.0
3.5
0.1
1.5
0.8
4.0
4.5
0
0
1
2 3 4
5
0.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
V
DS
, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I D , DRAIN CURRENT (A)
1.8
Figure 1. On-Region Characteristics .
15
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage .
1.6
I D = 0.2A
V GS = 2.7 V
12
25°C
I D = 0.2A
125°C
1.4
9
1.2
6
1
0.8
3
0.6
-50
-25
0 25 50 75
100
125
150
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature .
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On Resistance Variation with
Gate-To- Source Voltage.
0.2
V DS = 5.0V
T = -55°C
J
25°C
0.5
0.2
V GS = 0V
125°C
0.1
T J = 125°C
0.15
25°C
0.1
0.05
0.01
0.001
-55°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0.0001
0.2
0.4 0.6 0.8
1
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current and Temperature.
FDC6301N Rev.D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6302P | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 |
| FDC6303N | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6301N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET NN CH 25V 0.22A SSOT6 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NN CH, 25V, 0.22A, SSOT6 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, NN CH, 25V, 0.22A, SSOT6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:220mA; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:850mV ;RoHS Compliant: Yes |
| FDC6301N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DUAL N CH MOSFET, 25V, SUPER SOT-6 |
| FDC6301N_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel , Digital FET |
| FDC6301N_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 25V 0.22A 6PIN SUPERSOT - Tape and Reel |
| FDC6301N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 25V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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