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参数资料
| 型号： | FDC6305N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1602 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6305NDKR |
Typical Characteristics
10
V GS = 4.5V
3.0V
1.6
8
6
3.5V
2.5V
1.4
1.2
V GS = 2.5V
3.0V
4
2.0V
3.5V
4.0V
2
0
1.5V
1
0.8
4.5V
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
2
4
6
8
10
1.6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
0.24
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
1.4
I D = 2.7A
V GS = 4.5V
0.2
I D = 1.4A
0.16
1.2
1
0.12
0.08
T A = 125 o C
0.8
0.04
T A = 25 o C
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
25 C
10
V DS = 5V
T A = -55 o C
o
10
V GS = 0V
125 C
T A = 125 C
25 C
8
6
o
1
0.1
o
o
-55 C
4
2
0
0.01
0.001
0.0001
o
0
1
2
3
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC6305N, Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6306P | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 |
| FDC6310P | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| FDC6312P | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| FDC6318P | MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 |
| FDC6320C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6305N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL NN SUPERSOT-6 |
| FDC6305N_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6306P | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6306P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDC6306P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-6 |
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