- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDC6306P (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDC6306P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 08/April/2008 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SuperSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 1.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 441pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDC6306PDKR |
Typical Characteristics
12
V GS = -4.5V
-4.0V
2
10
-3.5V
1.8
8
6
-3.0V
1.6
1.4
V GS = -2 .5 V
-3.0V
4
-2.5V
1.2
-3.5V
-4.0V
-4.5V
2
-2.0V
1
0.8
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2 3
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAG E (V)
4
5
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 1. On-Region Characteristics.
1. 6
I D = -1.9A
0.5
Figure 2. On-Resistance Variation
with Drain Current and Gate Voltage.
I D = -1A
1. 4
1. 2
V GS = -4.5V
0.4
0.3
1
0. 8
0.2
0.1
T J = 1 25° C
25° C
0. 6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
10
T J , JUNCTION T EMPERAT URE (°C)
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
10
-V GS , GATE TO SOURCE VOLT AG E (V)
Figure 4. On-Resistance Variation
with Gate-to-Source Voltage.
V DS = -5V
T J = -55°C
V GS = 0V
8
25°C
1 25° C
1
T J = 125°C
6
4
2
0.1
0.01
0.001
25 °C
-55°C
0
0
1
2
3
4
5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-V GS , GATE T O SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLT AGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage
Variation with Source Current
and Temperature.
FDC6306P Rev. C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC6310P | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| FDC6312P | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 |
| FDC6318P | MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 |
| FDC6320C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 |
| FDC6321C | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC6306P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDC6306P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET DUAL PP SUPERSOT-6 |
| FDC6306P_D87Z | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC6306P_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 1.9A 6-Pin SuperSOT T/R |
| FDC6306P_Q | 功能描述:MOSFET SSOT-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。