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参数资料
| 型号： | FDC8601 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 109 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC8601DKR |
May 2013
FDC8601
N-Channel Shielded Gate PowerTrench ? MOSFET
100 V, 2.7 A, 109 m Ω
Features
General Description
Shielded Gate MOSFET Technology
This N-Channel MOSFET is
produced using Fairchild
Max r DS(on) = 109 m Ω at V GS = 10 V, I D = 2.7 A
Max r DS(on) = 176 m Ω at V GS = 6 V, I D = 2.1 A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package
Fast switching speed
100% UIL Tested
RoHS Compliant
S
Semiconductor‘s advanced PowerTrench ? process that
incorporates Shielded Gate technology. This process has been
optimized for r DS(on) , switching performance and ruggedness.
Applications
Load Switch
Synchronous Rectifier
Primary Switch
D
S
4
3
G
D
D
5
2
D
G
D
Pin 1
D
D
6
1
D
SuperSOT TM -6
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
100
±20
Units
V
V
I D
E AS
P D
T J , T STG
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Single Pulse Avalanche Energy
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1b)
2.7
12
13
1.6
0.8
-55 to +150
A
mJ
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
30
78
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.861
Device
FDC8601
Package
SSOT-6
Reel Size
7 ’’
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8601 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC8602 | MOSFET N-CH DUAL 100V 6-SSOT |
| FDC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT |
| FDC8878 | MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT |
| FDC8884 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT |
| FDC8886 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC8602 | 功能描述:MOSFET NCH DUAL COOL POWERTRENCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDC87W23 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Peripheral (Multifunction) Controller |
| FDC8878 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC8884 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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