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参数资料
| 型号： | FDC8601 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 109 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC8601DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
I D = 2.7 A
V DD = 25 V
300
8
6
4
2
V DD = 50 V
V DD = 75 V
100
10
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C iss
C oss
C rss
0
0
1
2
3
4
1
0.1
1
10
100
R θ JA = 78 C/W
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
7
6
5
T J = 25 o C
4
T J = 100 o C
3
T J = 125 o C
2
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 10 V
V GS = 6 V
o
1
0.01
0.1
1
2
0.0
25
50
75
100
125
150
T C , Ambient TEMPERATURE ( C )
20
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Ambient Temperature
300
SINGLE PULSE
1
100 us
100
R θ JA = 175 o C/W
T A = 25 o C
1 ms
THIS AREA IS
10 ms
T A = 25 C
0.1
0.01
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 175 o C/W
o
100 ms
1s
10 s
DC
10
1
10
10
10
0.001
0.1
1
10
100
400
0.5 -4
10
-3
-2
-1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8601 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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