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参数资料
| 型号： | FDC8878 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1040pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
FDC8878
N-Channel PowerTrench ? MOSFET
30 V, 8.0 A, 16 m Ω
Features
Max r DS(on) = 16 m Ω at V GS = 10 V, I D = 8.0 A
Max r DS(on) = 18 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 7.5 A
High performance trench technology for extremely low r DS(on)
Fast switching speed
RoHS Compliant
January 2012
General Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor‘s advanced Power Trench ? process that has
been optimized for r DS(on) , switching performance.
Applications
Primary Switch
S
D
S
4
3
G
D
D
5
2
D
G
D
Pin 1
D
D
6
1
D
SuperSOT TM -6
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
Drain to Source Voltage
Parameter
Ratings
30
Units
V
V GS
Gate to Source Voltage
(Note 3)
±20
V
Drain Current -Continuous (Package limited) T C = 25 °C
8.0
I D
-Continuous
T A = 25 °C
(Note 1a)
8.0
A
-Pulsed
32
P D
T J , T STG
Power Dissipation
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1b)
1.6
0.8
-55 to +150
W
°C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
(Note 1a)
30
78
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
.888
Device
FDC8878
Package
SSOT-6
Reel Size
7 ’’
Tape Width
8 mm
Quantity
3000 units
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8878 Rev.C2
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDC8884 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT |
| FDC8886 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-SSOT |
| FDD050N03B | MOSFET N-CH 30V 90A DPAK |
| FDD10AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
| FDD13AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDC8884 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDC8886 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDC91C36P | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDC9216 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:FLOPPY DISK DATA SEPARATOR FDDS |
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