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参数资料
| 型号： | FDC8601 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V TRENCH SSOT-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 109 毫欧 @ 2.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDC8601DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
12
5
9
V GS = 10 V
V GS = 6.5 V
V GS = 6 V
4
V GS = 5 V
V GS = 5.5 V
V GS = 6 V
6
V GS = 5.5 V
V GS = 5 V
3
2
V GS = 6.5 V
3
PULSE DURATION = 80 μ s
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
3
6
9
12
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
500
1.8
I D = 2.7 A
V GS = 10 V
I D = 2.7 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
400
1.6
1.4
300
1.2
1.0
0.8
200
100
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
12
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
10 V GS = 0 V
9
V DS = 5 V
1
T J = 150 o C
6
T J = 150
o C
0.1
T J = 25 o C
T J = 25 o C
3
T J = -55
o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
8
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC8601 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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