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参数资料
| 型号： | FDC86244 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 2.3A 6SSOT |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 144 毫欧 @ 2.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 345pF @ 75V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-SSOT |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
V GS = 10 V
V GS = 6 V
5
4
V GS = 4 V
V GS = 4.5 V
6
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 5 V
3
V GS = 5 V
4
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4.5 V
2
V GS = 6 V
2
V GS = 4 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
2
4
6
8
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
500
2.0
1.8
I D = 2.3 A
V GS = 10 V
400
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 2.3 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
300
200
100
T J = 25 o C
T J = 125 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
8
6
4
2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
1
0.1
0.01
V GS = 0 V
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
6
0.001
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDC86244 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
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