参数资料
型号: FDD13AN06A0_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
产品变化通告: Product Obsolescence 13/Aug/2010
产品目录绘图: DPAK, TO-252(AA)
标准包装: 2,500
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 9.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13.5 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1350pF @ 25V
功率 - 最大: 115W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
AUTOMOTIVE SOLUTIONS
Power Semiconductors Maximize Efficiency and Reliability
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PDF描述
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参数描述
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FDD14AN06LA0_F085 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD14AN06LA0_Q 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD15_10 制造商:CHINFA 制造商全称:Chinfa Electronics Ind. Co., Ltd. 功能描述:DC - DC CONVERTER