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参数资料
| 型号： | FDD13AN06A0_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N-CHANNEL/INJECTOR/SOLENOID DRIVER/P-CHANNEL
N-Channel MOSFETs (Planar)
POWER PRODUCTS
Product Number
(100V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 4.5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
HUFA76645S3ST_F085 (1)
HUFA75639S3ST_F085
N
N
100
100
Single
Single
0.014
0.025
0.0155
-
127
57
75
56
310
200
0.48
0.74
TO-263 (D2PAK)
TO-263 (D2PAK)
Product Number
(150V to 250V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
HUFA75852G3_F085
FQD12N20LTM_F085 (1)
FQD9N25TM_F085
FQI27N25TU_F085
FQB27N25TU_F085
N
N
N
N
N
150
200
250
250
250
Single
Single
Single
Single
Single
0.16
0.28
0.42
0.11
0.11
-
0.32
-
-
-
215
16 @ 5V
15.5
65
65
75
9
7.4
25.5
25.5
500
55
55
180
180
0.3
2.27
2.27
0.7
0.7
TO-247
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
TO-262 (I2PAK)
TO-263 (D2PAK)
Product Number
(330V to 600V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FQB25N33TM_F085
FDD6N50TM_F085
FCB20N60_F085
FCP20N60_F085
FCB20N60F_F085 (2)
FCP20N60F_F085 (2)
FCH47N60_F085
FCH47N60F_F085 (2)
N
N
N
N
N
N
N
N
330
500
600
600
600
600
600
600
Single
Single
Single
Single
Single
Single
Single
Single
0.23
0.9
0.19
0.19
0.19
0.19
0.07
0.073
-
-
-
-
-
-
-
-
58 @ 15V
12.8
75
75
75
75
210
210
25
6
20
20
20
20
47
47
250
89
208
208
208
208
417
417
0.5
1.4
0.6
0.6
0.6
0.6
0.3
0.3
TO-263 (D2PAK)
TO-252 (DPAK)
TO-263 (D2PAK)
TO-220 3-LEAD
TO-263 (D2PAK)
TO-220 3-LEAD
TO-247
TO-247
(1)
(2)
Logic Level
Fast Recovery Type
Injector/Solenoid Driver
Product
Number
Polarity
Gate
Input
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 4.5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
t r Typ.
(μs)
t f Typ.
(μs)
I D
(A)
P D
(W)
Special Features
R ? JC
(°C/W)
Package
FDSS2407
N
Logic
Level
62
Dual
0.11
0.132
4.3
1.2
3.5
3.3
2.27
Gate Disable,
V DS Feedback
55
SO-8
Source 1
1
8
Drain 1
Branding Dash
1
2
3
4
Gate 1
Source 2
Gate 2
2
3
4
7
6
5
Gate Disable 1
Drain 2
Drain FBK
SO-8
5
6
7
8
Pin 5- Drain Feedback Output
Pin 7- Gate Drive Disable Input
Injector Solenoid Driver: FDSS2407
P-Channel MOSFETs (Trench)
Product Number
(-20V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 2.7V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 4.5V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FDC642P_F085
FDS9431A_F085
FDS4465_F085
P
P
P
-20
-20
-20
Single
Single
Single
0.065
0.13
0.0085
0.1
0.18
0.0105
6.9
6
86
4
3.5
13.5
1.6
2.5
2.5
30
25
25
SSOT-6
SO-8
SO-8
f a i rc hi l d s e mi.c o m
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参数描述 |
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| FDD14AN06LA0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD14AN06LA0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD15_10 | 制造商:CHINFA 制造商全称:Chinfa Electronics Ind. Co., Ltd. 功能描述:DC - DC CONVERTER |
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