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参数资料
| 型号： | FDD13AN06A0_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
POWER PRODUCTS
P-Channel MOSFETs (Trench)
P-CHANNEL/COMPLEMENTARY PAIRS/IGBTs
Product Number
(-30V to -60V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 4.5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 5V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FDS6673BZ_F085 (1)
P
-30
Single
0.012
0.078
46
14.5
25
SO-8
FDS4435BZ_F085 (1)
FDD6637_F085 (2)
FDD4243_F085
FDD4685_F085
FDS4675_F085
FDD4141_F085
FDS4141_F085
FDS9958_F085
P
P
P
P
P
P
P
P
-30
-35
-40
-40
-40
-40
-40
-60
Single
Single
Single
Single
Single
Single
Single
Dual
0.02
0.0116
0.044
0.027
0.013
0.0123
0.013
0.105
0.035
0.018
0.064
0.035
0.017
0.018
0.019
0.135
16
25
21 (3)
19
40
19
18.6
8
8.8
55
6.7
32
11
50
10.8
2.9
2.5
2.4
68
42
83
2.4
69
5
25
2.2
3
1.8
25
1.8
30
40
SO-8
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
SO-8
TO-252 (DPAK)
SO-8
SO-8
(1)
With Gate Protection Zeners ±25V V GS
(2)
With ±25V V GS
(3)
@ V GS = 10V
P-Channel MOSFETs (Planar)
Product Number
(?100V to -500V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 4.5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FQB34P10TM_F085
FQD12P10TM_F085
FQB22P10TM_F085
FQD8P10TM_F085
FQB7P20TM_F085
P
P
P
P
P
-100
-100
-100
-100
-200
Single
Single
Single
Single
Single
0.06
0.29
0.125
0.53
0.69
-
-
-
-
-
110
27
50
12
25
33.5
9.4
22
6.6
19
155
50
125
44
90
0.97
2.5
1.2
2.84
1.39
TO-263 (D2PAK)
TO-252 (DPAK)
TO-263 (D2PAK)
TO-252 (DPAK)
TO-263 (D2PAK)
N/P-Channel Complementary Pair MOSFETs (Trench)
Product Number
(20V to 60V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 4.5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS =
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
(Fig.)
FDG6332C_F085
FDS8958A_F085
FDD8424H_F085A
FDS4559_F085
NP
NP
NP
NP
20
30
40
60
Comp
Comp
Comp
Comp
-
0.028/0.052
0.024/0.054
0.042/0.082
0.3/0.42
0.04/.08
0.03/0.07
0.055/0.105
1.1/1.4 @ V GS = 4.5V
16 @ V GS = 10V
14/17 @ V GS = 10V
12/15 @ V GS = 10V
0.7/-0.6
7/-5
26/-20
4.5/-3.5
0.3
2
30/35
2
415
40
4.1/3.5
40
SC70 (1)
SO-8 (2)
TO-252 (DPAK-4L) (3)
SO-8 (2)
D1
D2
1
6
5
Q2
4
2
3
5
4
6
7
8
Q1
3
2
1
G1
S1
N-Channel
G2
S2
P-Channel
IGBTs
Fig 1. Dual N/P SC70
Fig 2. Dual N/P SO8
Fig 3. Dual N/P TO 252/4L
Max. (V)
ProductNumber
BV DSS Min.
(V)
I C @ 25°C
(A)
V CE(sat) Max. (V)
Test Condition
@ 25°C
t f @ 25°C
Typ. (ns)
Built-in Diode
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FGD3N60LSD
600
19
1.5
3A, 10V
800
Yes
40
3.1
TO-252 (DPAK)
10
f a i rc hi l d s e mi.c o m
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDD14AN06L_F085_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 50A, 14.6m?? |
| FDD14AN06LA0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD14AN06LA0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD15_10 | 制造商:CHINFA 制造商全称:Chinfa Electronics Ind. Co., Ltd. 功能描述:DC - DC CONVERTER |
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