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参数资料
| 型号： | FDD13AN06A0_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 50A DPAK |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Aug/2010 |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13.5 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 115W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
POWER PRODUCTS
N-Channel MOSFETs (Trench)
N-CHANNEL MOSFETs
Product Number
(60V Logic Level)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 4.5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 4.5V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FDB14AN06LA0_F085
FDD14AN06LA0_F085
FDD24AN06LA0_F085
FDD5810_F085
FDC5661N_F085
N
N
N
N
N
60
60
60
60
60
Single
Single
Single
Single
Single
0.0116
0.0116
0.019
0.022
0.047
0.0146
0.0146
0.024
0.027
0.06
24
25
16
13
14.5 @ 10V
67
50
40
37
4.3
125
125
75
72
1.6
1.2
1.2
2
2.1
30
TO-263 (D2PAK)
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
SSOT-6
Product Number
(60V Standard Gate)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 6V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FDB035AN06A0_F085
FDP035AN06A0_F085
FDB070AN06A0_F085
FDD10AN06A0_F085
FDD13AN06A0_F085
FDD20AN06A0_F085
FDD26AN06A0_F085
N
N
N
N
N
N
N
60
60
60
60
60
60
60
Single
Single
Single
Single
Single
Single
Single
0.0035
0.0035
0.007
0.0105
0.0135
0.02
0.026
0.0066
0.0066
-
0.027
0.034
-
-
95
95
51
28
22
15
17
80
80
80
50
50
45
36
310
310
175
135
115
90
75
0.48
0.48
0.86
1.11
1.3
1.67
2
TO-263 (D2PAK)
TO-220
TO-263 (D2PAK)
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
Product Number
(75V to 100V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 6V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FDB045AN08A0_F085
FDD16AN08A0_F085
FDB3652_F085
FDB3672_F085
FDD3672_F085
FDD3682_F085
N
N
N
N
N
N
75
75
100
100
100
100
Single
Single
Single
Single
Single
Single
0.0045
0.016
0.016
0.028
0.028
0.036
0.0084 @ 4.5V
0.029
0.026
0.047
0.047
0.06
92
31
41
31
24
18.5
90
50
61
44
44
32
310
135
150
120
144
95
0.48
1.11
1
1.25
1.04
1.58
TO-263 (D2PAK)
TO-252 (DPAK)
TO-263 (D2PAK)
TO-263 (D2PAK)
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
Product Number
(150V to 250V)
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 6V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
FDB2532_F085
FDP42AN15A0_F085
FDD2572_F085
FDD120AN15A0_F085
FDS2672_F085
FDP2710_F085
N
N
N
N
N
N
150
150
150
150
200
250
Single
Single
Single
Single
Single
Single
0.016
0.042
0.054
0.12
0.07
0.047
0.024
0.06
0.075
0.17
0.08
-
82
30
26
11.2
33
78
79
35
29
14
3.9
50
310
150
135
65
2.5
403
0.48
1
1.11
2.31
25
0.31
TO-263 (D2PAK)
TO-220 3-LEAD
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
SO-8
TO-220 3-LEAD
N-Channel MOSFETs (Planar)
Product Number
Polarity
BV DSS
Min. (V)
Configuration
R DS(ON) Max. ( Ω ) @ V GS =
10V 4.5V
Qg Typ. (nC)
@ V GS = 10V
I D
(A)
P D
(W)
R ? JC
(°C/W)
Package
55V Standard Gate
FDP5500_F085
FDH5500_F085
HUFA75344S3_F085
HUFA75321D3ST_F085
HUFA75307T3ST
N
N
N
N
N
55
55
55
55
55
Single
Single
Single
Single
Single
0.007
0.007
0.008
0.036
0.09
-
-
-
-
-
114
118
90
21
8.3
80
75
75
20
2.6
375
375
285
93
1.1
0.4
0.4
0.52
1.6
110
TO-220 3-LEAD
TO-247 3-LEAD
TO-262 (I2PAK)
TO-252 (DPAK)
SOT-223 4-LEAD
60V Logic Level
HUFA76409D3ST_F085
HUFA76429D3ST_F085 (1)
HUFA76419D3ST_F085 (1)
HUFA76413DK8T_F085 (1)
(1)
HUFA76407DK8T_F085 (1)
N
N
N
N
N
60
60
60
60
60
Single
Single
Dual
Single
Dual
0.023
0.037
0.049
0.063
0.09
0.029
0.043
0.056
0.075
0.11
46
23
23
15
11.2
20
20
5.1
18
3.5
110
75
2.5
49
2.5
1.36
2
50
3.06
50
TO-252 (DPAK)
TO-252 (DPAK)
SO-8
TO-252 (DPAK)
SO-8
8
f a i rc hi l d s e mi.c o m
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PLA10AS5521R0R2B | COMMON MODE CHOKE 5.5MH 1A T/H |
| PLA10AS4330R3R2B | COMMON MODE CHOKE 43MH .3A T/H |
| PLA10AS3630R3D2B | COMMON MODE CHOKE 36MH .3A T/H |
| PLA10AS3621R0D2B | COMMON MODE CHOKE 3.6MH 1A T/H |
| KB25SKW01-C-JC | SWITCH PUSHBUTTON DPDT 1A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD14AN06L_F085_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 50A, 14.6m?? |
| FDD14AN06LA0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD14AN06LA0_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD14AN06LA0_Q | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD15_10 | 制造商:CHINFA 制造商全称:Chinfa Electronics Ind. Co., Ltd. 功能描述:DC - DC CONVERTER |
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