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参数资料
| 型号： | FDD16AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1874pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD16AN08A0DKR |
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD16AN08A0
Device
FDD16AN08A0
Package
D-PAK
Reel Size
330 mm
Tape Width
16 mm
Quantity
2500 units
Electrical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
B VDSS
Drain to Source Breakdown Voltage
I D = 250 μ A, V GS = 0V
75
-
-
V
I DSS
I GSS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V DS = 60V
V GS = 0V
V GS = ± 20V
T C = 150 o C
-
-
-
-
-
-
1
250
± 100
μ A
nA
On Characteristics
V GS(TH)
r DS(ON)
Gate to Source Threshold Voltage
Drain to Source On Resistance
V GS = V DS , I D = 250 μ A
I D = 50A, V GS = 10V
I D = 25A, V GS = 6V
I D = 50A, V GS = 10V,
T J = 175 o C
2
-
-
-
-
0.013
0.019
0.032
4
0.016
0.029
0.037
V
?
Dynamic Characteristics
C ISS
C OSS
C RSS
Q g(TOT)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge at 10V
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1MHz
V GS = 0V to 10V
-
-
-
1874
290
91
31
-
-
-
47
pF
pF
pF
nC
Q g(TH)
Q gs
Q gs2
Q gd
Threshold Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate Charge Threshold to Plateau
Gate to Drain “Miller” Charge
V GS = 0V to 2V
V DD = 40V
I D = 50A
I g = 1.0mA
-
-
-
-
4
9.7
5.7
7.2
6
-
-
-
nC
nC
nC
nC
Switching Characteristics (V GS = 10V)
t ON
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
t OFF
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 40V, I D = 50A
V GS = 10V, R GS = 10 ?
-
-
-
-
-
-
-
8
54
32
22
-
93
-
-
-
-
81
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q RR
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovered Charge
I SD = 50A
I SD = 25A
I SD = 50A, dI SD /dt = 100A/ μ s
I SD = 50A, dI SD /dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
-
-
-
-
1.25
1.0
34
31
V
V
ns
nC
Notes:
1: Starting T J = 25°C, L = 155 μ H, I AS = 35A.
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD16AN08A0 Rev. C2
2
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2G | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC |
| NTLUS3A40PZTAG | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
| 357LB3I038M8800 | OSC VCXO 38.8800 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I006M1760 | OSC VCXO 6.1760 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I001M5440 | OSC VCXO 1.5440 MHZ 5X7MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDD16AN08A0_NF054 | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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| FDD16AN08LA0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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