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参数资料
| 型号： | FDD16AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1874pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD16AN08A0DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
500
100
10 μ s
100
If R = 0
t AV = (L)(I AS )/(1.3*RATED BV DSS - V DD )
If R ≠ 0
t AV = (L/R)ln[(I AS *R)/(1.3*RATED BV DSS - V DD ) +1]
100 μ s
10
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(ON)
1ms
10ms
10
STARTING T J = 25 o C
1
0.1
1
DC
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
T C = 25 o C
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
100
1
0.01
STARTING T J = 150 o C
0.1 1 10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
100
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
NOTE: Refer to Fairchild Application Notes AN7514 and AN7515
Figure 6. Unclamped Inductive Switching
Capability
100
75
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 15V
100
75
V GS = 20V
V GS = 7V
V GS = 10 V
V GS = 6V
50
T J = 175 o C
50
25
T J = 25 o C
T J = -55 o C
25
V GS = 5V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
T C = 25 o C
0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
0
0
1
3
4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Transfer Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Saturation Characteristics
0.022
0.020
V GS = 6V
2.5
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0.018
0.016
0.014
0.012
V GS = 10V
2.0
1.5
1.0
0.01
0
1 0
20 30
I D , DRAIN CURRENT (A)
4 0
50
0.5
-80
-40
V GS = 10V, I D =50A
0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
200
Figure 9. Drain to Source On Resistance vs Drain
Current
Figure 10. Normalized Drain to Source On
Resistance vs Junction Temperature
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD16AN08A0 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2G | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC |
| NTLUS3A40PZTAG | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
| 357LB3I038M8800 | OSC VCXO 38.8800 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I006M1760 | OSC VCXO 6.1760 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I001M5440 | OSC VCXO 1.5440 MHZ 5X7MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD16AN08A0_F085 | 功能描述:MOSFET Trans N-Ch 75V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_NF054 | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDD16AN08A0_Q | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08LA0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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