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参数资料
| 型号： | FDD16AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1874pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD16AN08A0DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.4
V GS = V DS , I D = 250 μ A
1.2
I D = 250 μ A
1.2
1.1
1.0
0.8
1.0
0.6
0.4
-80
-40
0 40 80 120
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
160
200
0.9
-80
-40
0 40 80 120
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
160
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
5000
C ISS = C GS + C GD
10
V DD = 40V
8
1000
C OSS ? C DS + C GD
C RSS = C GD
6
4
100
50
0.1
V GS = 0V, f = 1MHz
1
10
75
2
0
0
5
10
15
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
I D = 50A
I D = 10A
20 25 30
35
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 14. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Current
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD16AN08A0 Rev. C2
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2G | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC |
| NTLUS3A40PZTAG | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
| 357LB3I038M8800 | OSC VCXO 38.8800 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I006M1760 | OSC VCXO 6.1760 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I001M5440 | OSC VCXO 1.5440 MHZ 5X7MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD16AN08A0_F085 | 功能描述:MOSFET Trans N-Ch 75V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_NF054 | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDD16AN08A0_Q | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08LA0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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