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参数资料
| 型号： | FDD16AN08A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 50A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1874pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 135W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252AA |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD16AN08A0DKR |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDD16AN08A0 2 1 3 ; rev March 2002
Ca 12 8 6.8e-10
9
20
13
ESLC
21
Cb 15 14 8.9e-10
Cin 6 8 1.8e-9
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 80.00
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
Lgate 1 9 4.81e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 4.63e-9
RLgate 1 9 48.1
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 46.3
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
S1A
1 2
8
6
8
DPLCAP
10
RSLC2
EVTHRES
+ 19 -
8
6
CIN
S2A
14 15
13
5
RSLC1
51
5
51
50
RDRAIN
16
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
7
RSOURCE
RBREAK
17
LDRAIN
RLDRAIN
DBODY
LSOURCE
RLSOURCE
18
DRAIN
2
SOURCE
3
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 2e-3
Rgate 9 20 3.9
CA
S1B
13
+
EGS
-
6
8
S2B
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
IT
RVTHRES
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 7e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*200),3))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2.4E-11 N=1.08 RS=3.6e-3 TRS1=2.2e-3 TRS2=2.5e-9
+ CJO=1.2e-9 M=5.4e-1 TT=1.70e-8 XTI=3.9)
.MODEL DbreakMOD D (RS=1.5e-1 TRS1=1e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=0.5e-9 IS=1e-30 N=10 M=0.5)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=3.65 KP=3 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=3.9)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=4.1 KP=67 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=3.05 KP=0.06 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=39 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=0.9e-3 TC2=-5e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=2.5e-2 TC2=6.2e-5)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-5)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=1e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-5.3e-3 TC2=-1.3e-5)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.7e-3 TC2=1e-6)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-1.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.5 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1 VOFF=0.5)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=0.5 VOFF=-1)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
? 20 02 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD16AN08A0 Rev. C2
8
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2G | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC |
| NTLUS3A40PZTAG | T4 20/8 PCH 2X2 UDFN SING |
| 357LB3I038M8800 | OSC VCXO 38.8800 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I006M1760 | OSC VCXO 6.1760 MHZ 5X7MM SMD |
| 357LB3I001M5440 | OSC VCXO 1.5440 MHZ 5X7MM SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD16AN08A0_F085 | 功能描述:MOSFET Trans N-Ch 75V 9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_NF054 | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08A0_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| FDD16AN08A0_Q | 功能描述:MOSFET 75V 50a .16Ohms/VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD16AN08LA0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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