- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录416 > FDD3690 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD3690 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 64 毫欧 @ 5.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1514pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
35
1.6
30
V GS = 10V
5.0V
25
4.5V
4.0V
1.4
V GS = 4.0V
4.5V
20
15
10
3.5V
1.2
1
5.0V
6.0V
10V
5
0
0.8
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
25
30
35
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
2.6
0.15
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
2.4
2.2
I D = 5.4 A
V GS = 10V
0.12
I D = 2.7 A
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.09
0.06
0.03
T A = 125 o C
T A = 25 o C
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
35
30
25
V DS = 5V
100
10
1
V GS = 0V
T A = 125 o C
25 o
20
0.1
C
-55 o C
15
10
5
125 o C
25 o C
0.01
0.001
0
2
2.5
3
3.5
T A = -55 o C
4
4.5
5
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDD3690 Rev. C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3860 | MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK |
| FDD390N15ALZ | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 |
| FDD390N15A | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK |
| FDD3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| FDD3N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3706 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。