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参数资料
| 型号： | FDD3690 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 64 毫欧 @ 5.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1514pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
10
2500
8
I D = 5.4 A
V DS = 20V
30V
2000
f = 1MHz
V GS = 0 V
50
6
4
V
1500
1000
C ISS
2
0
500
0
C RSS
C OSS
0
5
10
15
20
25
30
0
10
20
30
40
50
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
100
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
40
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
10
1ms
10ms
100ms
30
1
1s
10s
DC
20
0.1
V GS = 10V
SINGLE PULSE
0.01
0.001
R θ JA = 96 o C/W
T A = 25 o C
10
0
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
100
1000
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (SEC)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.1
0.01
0.001
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 96 °C/W
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD3690 Rev. C(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD3860 | MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK |
| FDD390N15ALZ | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK-3 |
| FDD390N15A | MOSFET N-CH 150V 26A DPAK |
| FDD3N40TF | MOSFET N-CH 400V 2A DPAK |
| FDD3N50NZTM | MOSFET N-CH 500V DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD3706 | 功能描述:MOSFET 20V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD3860_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD3860_G | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:100V N-Channel PowerTrenchR MOSFET |
| FDD390N15A | 功能描述:MOSFET PT5 100/20V NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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