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参数资料
| 型号： | FDD6030L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1230pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
August 2003
FDD6030L
30V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advanced PowerTrench process that
has been especially tailored to minimize the on state
? 12 A, 30 V
R DS(ON) = 14.5 m ? @ V GS = 10 V
R DS(ON) = 21 m ? @ V GS = 4.5 V
resistance and yet maintain low gate charge for
superior switching performance.
Applications
? DC/DC converter
? Motor Drives
? Low gate charge
? Fast Switching Speed
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
D
D
G
D-PAK
S
TO-252
G
(TO-252)
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
S
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
30
± 20
Units
V
V
I D
Continuous Drain Current @T C =25°C
@T A =25°C
Pulsed
(Note 3)
(Note 1a)
(Note 1a)
50
12
100
A
P D
Power Dissipation
@T C =25°C
(Note 3)
56
W
@T A =25°C
@T A =25°C
(Note 1a)
(Note 1b)
3.2
1.5
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
2.7
45
96
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD6030L
Device
FDD6030L
Package
D-PAK (TO-252)
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6030L Rev E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6530A | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK |
| FDD6630A | MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK |
| FDD6635 | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
| FDD6637 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| FDD6670A | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6030L_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6030L_Q | 功能描述:MOSFET 30V N&P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6035 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
| FDD6035AL | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6035AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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