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参数资料
| 型号： | FDD6630A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 7.6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 462pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6630ADKR |
Nove mber 20 1 1
FDD6630A
30V N-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
? 21 A, 30 V
R DS(ON) = 35 m ? @ V GS = 10 V
R DS(ON) = 50 m ? @ V GS = 4.5 V
switching PWM controllers. It has been optimized for
low gate charge, low R DS( ON) and fast switching speed.
? Low gate charge (5nC typical)
? Fast switching
Applications
? DC/DC converter
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? Motor drives
.
D
G
S
TO-252
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
V GSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
30
± 20
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
(Note 3)
21
A
– Pulsed
(Note 1a)
100
P D
Power Dissipation
(Note 1)
28
W
(Note 1a)
(Note 1b)
3.2
1.3
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +175
° C
Thermal Characteristics
R θ J C
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
4.5
40
96
° C/W
° C/W
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD6630A
Device
FDD6630A
Reel Size
13’’
Tape width
16mm
Quantity
2500 units
? 20 1 1 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6630A Rev D 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6635 | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
| FDD6637 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| FDD6670A | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
| FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| FDD6682 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6630A_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench?? MOSFET |
| FDD6632 | 功能描述:MOSFET 30V 9a 0.090Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6632_04 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level UltraFET㈢ Trench Power MOSFET 30V, 9A, 70mз |
| FDD6635 | 功能描述:MOSFET 35V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6637 | 功能描述:MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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