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参数资料
| 型号： | FDD6637 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2370pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6637DKR |
August 2006
FDD6637
35V P-Channel PowerTrench ? MOSFET
General Description
Features
This P-Channel MOSFET has been produced using
? –55 A, –35 V
R DS(ON) = 11.6 m ? @ V GS = –10 V
Fairchild Semiconductor’s proprietary PowerTrench
technology to deliver low Rdson and optimized Bvdss
capability to offer superior performance benefit in the
applications.
Applications
R DS(ON) = 18 m ? @ V GS = –4.5 V
? High performance trench technology for extremely
low R DS(ON)
? RoHS Compliant
?
?
Inverter
Power Supplies
D
D
G
G
D-PAK
S
TO-252
(TO-252)
S
Absolute Maximum Ratings
T A =25 o C unless otherwise noted
Symbol
V DSS
Parameter
Drain-Source Voltage
Ratings
–35
Units
V
V DS(Avalanche)
V GSS
Drain-Source Avalanche Voltage (maximum)
Gate-Source Voltage
(Note 4)
–40
± 25
V
V
I D
Continuous Drain Current
@T C =25°C
(Note 3)
–55
A
@T A =25°C
Pulsed
(Note 1a)
(Note 1a)
–13
–100
P D
Power Dissipation
@T C =25°C
(Note 3)
57
W
@T A =25°C
@T A =25°C
(Note 1a)
(Note 1b)
3.1
1.3
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1)
(Note 1a)
(Note 1b)
2.2
40
96
° C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDD6637
Device
FDD6637
Package
D-PAK (TO-252)
Reel Size
13’’
Tape width
12mm
Quantity
2500 units
? 2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6637 Rev C2(W)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
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| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252 |
| FDD6637_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:35V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6637_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -35V, -21A, 18m?? |
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