- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录417 > FDD6637 (Fairchild Semiconductor)MOSFET P-CH 35V 13A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD6637 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2370pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6637DKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Drain-Source Avalanche Ratings
E AS
I AS
Drain-Source Avalanche Energy
(Single Pulse)
Drain-Source Avalanche Current
V DD = -35 V, I D = -11 A, L=1mH
61
–14
mJ
A
Off Characteristics (Note 2)
BV DSS
I DSS
I GSS
Drain–Source Breakdown
Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate–Body Leakage
V GS = 0 V,
V DS = –28 V,
V GS = ± 25 V,
I D = –250 μ A
V GS = 0 V
V DS = 0 V
–35
–1
± 100
V
μ A
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS , I D = –250 μ A
–1
–1.6
–3
V
R DS(on)
Static Drain–Source
On–Resistance
V GS = –10 V,
V GS = –4.5 V,
I D = –14 A
I D = –11 A
9.7
14.4
11.6
18
m ?
V GS = –10 V, I D = –14 A, T J =125 ° C
14.7
19
g FS
Forward Transconductance
V DS = –5 V,
I D = –14 A
35
S
Dynamic Characteristics
C iss
Input Capacitance
2370
pF
C oss
C rss
R G
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = –20 V,
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
V GS = 0 V,
470
250
3.6
pF
pF
?
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
Turn–On Delay Time
18
32
ns
t r
t d(off)
t f
Q g
Turn–On Rise Time
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Total Gate Charge, V GS = –10V
V DD = –20 V,
V GS = –10 V,
I D = –1 A,
R GEN = 6 ?
10
62
36
45
20
100
58
63
ns
ns
ns
nC
Q g
Q gs
Q gd
Total Gate Charge, V GS = –5V
Gate–Source Charge
Gate–Drain Charge
V DS = – 20 V, I D = –14 A
25
7
10
35
nC
nC
nC
FDD6637 Rev. C2(W)
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6670A | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
| FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| FDD6682 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252 |
| FDD6637_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:35V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6637_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -35V, -21A, 18m?? |
| FDD6637_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6644 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。