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参数资料
| 型号： | FDD6637 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2370pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6637DKR |
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
BV DSS
V G
R GEN
DUT
-
V DD
I AS
t P
V DS
V DD
0V
+
V GS tp
vary t P to obtain
required peak I AS
I AS
0.01 ?
t AV
Figure 14. Unclamped Inductive Load Test
Circuit
Drain Current Regulator
Same type as DUT
Figure 15. Unclamped Inductive Waveforms
-
10V
50k ?
10V
Q G
+
10 μ F
1 μ F
-
+
V DD
V GS
Q GS
Q GD
V G
DUT
I g(REF)
Figure 16. Gate Charge Test Circuit
Charge, (nC)
Figure 17. Gate Charge Waveform
V DS
R L
t ON
t d(ON)
t OFF
t d(OFF)
R GEN
V GS
DUT
-
V DD
+
V DS
90%
t r
t f
90%
V GS
Pulse Width ≤ 1 μ s
Duty Cycle ≤ 0.1 %
0V
V GS
0V
10%
10%
50%
Pulse Width
90%
50%
10%
Figure 18. Switching Time Test Circuit
FDD6637 Rev. C2(W)
Figure 19. Switching Time Waveforms
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6670A | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
| FDD6680AS | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| FDD6682 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| FDD6685 | MOSFET P-CH 30V 11A DPAK |
| FDD6690A | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6637 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252 |
| FDD6637_06 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:35V P-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6637_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -35V, -21A, 18m?? |
| FDD6637_F085 | 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6644 | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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