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参数资料
| 型号： | FDD6637 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 35V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11.6 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2370pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6637DKR |
Typical Characteristics
10
3200
I D = -14A
V DS = 10V
30V
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
2400
6
4
2
20V
1600
800
C rss
C oss
C iss
0
0
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
1000
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
V D S , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
SINGLE PULSE
R θ JA = 96°C/W
100
10
R DS(ON) LIMIT
100μs
1ms
10ms
100ms
80
60
T A = 25°C
1s
10s
R θ JA = 96 C/W
1
0.1
V GS = -10V
SINGLE PULSE
o
DC
40
20
T A = 25 C
o
0
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0 1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
t 1 , TIME (sec)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 96°C/W
1000
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
80
T A = 25°C
60
40
20
100
10
o
T J = 25 C
0
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Peak
Current
FDD6637 Rev. C2(W)
t A V , TIME IN AVANCHE(ms)
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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