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参数资料
| 型号： | FDD6030L |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1230pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics
100
V GS = 10.0V
4.5V
1.8
V GS = 3.5V
80
60
6.0V
5.0V
4.0V
1.6
1.4
4.0V
40
3.5V
1.2
4.5V
5.0V
6.0V
1
10.0V
20
3.0V
0.8
0
0
20
40
60
80
0
0.5
1 1.5 2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
2.5
3
I D , DRAIN CURRENT (A)
T A = 125 C
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
Figure 1. On-Region Characteristics
I D = 12A
V GS = 10V
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.03
I D = 6A
0.025
0.02
o
0.015
T A = 25 o C
0.01
0.005
-50
-25
0 25 50 75 100
125
150
2
4 6 8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
125 C
T A = 125 C
90
75
V DS = 5V
T A =-55 o C
o
1000
100
10
V GS = 0V
o
60
25 o C
45
25 o C
1
-55 o C
0.1
30
15
0
0.01
0.001
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0
0.2
0.4 0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDD6030L Rev. E
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6530A | MOSFET N-CH 20V 21A D-PAK |
| FDD6630A | MOSFET N-CH 30V 21A D-PAK |
| FDD6635 | MOSFET N-CH 35V 15A DPAK |
| FDD6637 | MOSFET P-CH 35V 13A DPAK |
| FDD6670A | MOSFET N-CH 30V 15A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6030L_03 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDD6030L_Q | 功能描述:MOSFET 30V N&P-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6035 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET |
| FDD6035AL | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6035AL_Q | 功能描述:MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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