- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18631 > FDD6612A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | FDD6612A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD6612ADKR |
Typical Characteristics
60
2
50
V GS = 10V
5.0V
4.5V
1.8
V GS = 3.5V
6.0V
40
30
4.0V
1.6
1.4
4.0V
4.5V
20
10
3.5V
1.2
1
5.0V
6.0V
10V
3.0V
0
0.8
0
1
2
3
4
0
10
20
30
40
1.8
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage
0.06
1.6
I D = 9.5A
V GS = 10V
0.05
I D = 5 A
1.4
0.04
1.2
1
0.8
0.6
0.03
0.02
0.01
T A = 25 o C
T A = 125 o C
-50
-25
0 25 50 75 100
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
125
150
2
4 6 8
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
60
50
Figure 3. On-Resistance Variation
withTemperature
V DS = 5V
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage
100
V GS = 0V
10
T A = 125 C
40
30
20
o
1
0.1
0.01
T A = 125 o C
25 o C
-55 o C
10
0
25 o C
-55 o C
0.001
0.0001
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
FDD6612A/FDU6612A Rev. E(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH303P4 | SHIELDED DC MICRO-MIZER |
| DB40S4SS4P3-6 | DIE BLOCK ASSY MICRO AC 4POS YEL |
| OP501 | PHOTOTRANSISTOR NPN BLK 0805 SMD |
| DB40S4SS4P1-6 | DIE BLOCK ASSY MICRO AC 4POS RED |
| SH304S2 | SHIELDED DC MICRO-MIZER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6612A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 30V 30A DPAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 30A, DPAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 30A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| FDD6612A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252 |
| FDD6612A_F054 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK, SINGLE, NCH - Tape and Reel |
| FDD6612A_OLDDI | 制造商:Fairchild 功能描述:DPAK, SINGLE, NCH |
| FDD6630A | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。