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参数资料
| 型号： | FDD6612A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 9.5A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 660pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD6612ADKR |
Typical Characteristics
10
1000
8
I D = 9.5A
V DS = 10V
20V
800
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C iss
6
4
2
0
15V
600
400
200
0
C rss
C oss
0
2
4
6
8
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
100
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
50
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
R θ JA = 96 C/W
10
R DS(ON) LIMIT
100 μ s
1ms
10ms
40
SINGLE PULSE
o
T A = 25 o C
100ms
1s
30
1
DC
10s
20
V GS = 10V
0.1
SINGLE PULSE
R θ JA = 96 C/W
0.01
o
T A = 25 o C
10
0
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
1
D = 0.5
R θ JA = 96 C/W
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
o
P(pk)
0.01
0.001
0.01
SINGLE PULSE
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDD6612A/FDU6612A Rev. E(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SH303P4 | SHIELDED DC MICRO-MIZER |
| DB40S4SS4P3-6 | DIE BLOCK ASSY MICRO AC 4POS YEL |
| OP501 | PHOTOTRANSISTOR NPN BLK 0805 SMD |
| DB40S4SS4P1-6 | DIE BLOCK ASSY MICRO AC 4POS RED |
| SH304S2 | SHIELDED DC MICRO-MIZER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6612A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N CH 30V 30A DPAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 30A, DPAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N CH, 30V, 30A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):20mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| FDD6612A | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 30A, TO-252 |
| FDD6612A_F054 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:DPAK, SINGLE, NCH - Tape and Reel |
| FDD6612A_OLDDI | 制造商:Fairchild 功能描述:DPAK, SINGLE, NCH |
| FDD6630A | 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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