- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录417 > FDD6770A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 24A DPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD6770A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 24A DPAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 24A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2405pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6770ADKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
10
8
6
I D = 24 A
V DD = 10 V
5000
1000
C iss
4
2
V DD = 13 V
V DD = 15 V
C oss
C rss
f = 1 MHz
V GS = 0 V
0
0
5
10
15
20
25
30
35
100
0.1
1
10
30
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
90
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
60
T J = 125 o C
10
T J = 25 o C
V GS = 10 V
R θ JC = 3.0 C/W
T J = 150 o C
30
Limited by Package
o
V GS = 4.5 V
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( C )
300
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
5000
100
10 us
100 us
1000
V GS = 10 V
10
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JC = 3.0 o C/W
1 ms
10 ms
100 ms
DC
100
SINGLE PULSE
R θ JC = 3.0 o C/W
T C = 25 o C
T C = 25 o C
10
10
10
10
10
0.1
0.1
1
10
100
30
-5
-4
-3
-2
-1
1
10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6770A Rev . C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD6778A | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK |
| FDD6796A | MOSFET N-CH 25V 20A DPAK |
| FDD6N20TM | MOSFET N-CH 200V 4.5A DPAK |
| FDD6N25TF | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK |
| FDD6N50FTF | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6776A | 功能描述:MOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6778A | 功能描述:MOSFET 25V 10A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6780 | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6780A | 功能描述:MOSFET 25V 30A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6782A | 功能描述:MOSFET 25V 20A N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。