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参数资料
| 型号： | FDD6N50FTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.15 欧姆 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6N50FTMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
25 C
28
10
1
V GS = 10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
5.5 V
20
10
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.04
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
20
1
5
6
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
7 8 9
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
2.4
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
1.8
10
o
25 C
o
V GS = 10V
1.2
V GS = 20V
1
*Notes:
*Note: T J = 25 C
0.6
0
4
8 12
I D , Drain Current [A]
o
16
0.1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0 1.5
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
2.0
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
1500
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
10
1200
C oss
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
8
V DS = 100V
V DS = 250V
900
600
300
C iss
C rss
*Note:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
4
2
V DS = 400V
0
0.1
1 10
30
0
0
*Note: I D = 6A
4 8 12
16
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N50F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD2N100TM | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| 569P9P72 | CABLE STR MALE-MALE 9POS 6' |
| SH513S3P72 | SHLD MINIMIZER STR EXTENSION |
| SH513P3S72 | SHLD MINIMIZER STR EXTENSION |
| 569S9S36 | CABLE STR FEMALE-FEMALE 9POS 3' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6N50RTF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6N50TF | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50TF_WS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6N50TM | 功能描述:MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50TM_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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