参数资料
型号: FDD6N50FTM
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK
产品目录绘图: DPAK, TO-252(AA)
标准包装: 1
系列: UniFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.15 欧姆 @ 2.75A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 19.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 960pF @ 25V
功率 - 最大: 89W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 标准包装
产品目录页面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDD6N50FTMDKR
I G = const .
Figure 11. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 12. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
V GS
Figure 13. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N50F Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
FQD2N100TM MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
569P9P72 CABLE STR MALE-MALE 9POS 6'
SH513S3P72 SHLD MINIMIZER STR EXTENSION
SH513P3S72 SHLD MINIMIZER STR EXTENSION
569S9S36 CABLE STR FEMALE-FEMALE 9POS 3'
相关代理商/技术参数
参数描述
FDD6N50RTF 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDD6N50TF 功能描述:MOSFET 500V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6N50TF_WS 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
FDD6N50TM 功能描述:MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6N50TM_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET