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参数资料
| 型号： | FDD6N50FTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 5.5A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.15 欧姆 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 19.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDD6N50FTMDKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
50
30 μ s
1.1
10
100 μ s
1ms
1.0
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
DC
T J , Junction Temperature [ C ]
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.9
0.8
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.1
0.01
1
*Notes:
o
o
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
Figure 9. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
6.0
4.8
3.6
2.4
1.2
T C , Case Temperature [ C ]
0.0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 10. Transient Thermal Response Curve
3
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
0.02
0.01
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 1.4 C/W Max.
0.01
Single pulse
*Notes:
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1 0
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD6N50F Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FQD2N100TM | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK |
| 569P9P72 | CABLE STR MALE-MALE 9POS 6' |
| SH513S3P72 | SHLD MINIMIZER STR EXTENSION |
| SH513P3S72 | SHLD MINIMIZER STR EXTENSION |
| 569S9S36 | CABLE STR FEMALE-FEMALE 9POS 3' |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD6N50RTF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6N50TF | 功能描述:MOSFET 500V N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50TF_WS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDD6N50TM | 功能描述:MOSFET 30V/16V 9.5/12MO NCH SINGLE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD6N50TM_10 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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