- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录417 > FDD7N60NZTM (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDD7N60NZTM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | UniFET-II™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.25 欧姆 @ 2.75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 730pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 90W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 2.75A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
40
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1ms
10ms
DC
30 μ s
6
5
4
3
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
*Notes:
o
o
2
1
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 1.4 C/W Max.
0.01
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 ,
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD7N60NZ / FDU7N60NZTU Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD8424H_F085 | MOSFET N/P-CH DUAL 40V DPAK-4 |
| FDD8424H | MOSFET DUAL N/P-CH 40V TO252-4L |
| FDD8444L_F085 | MOSFET N-CH 40V 50A DPAK |
| FDD8444 | MOSFET N-CH 40V 145A DPAK |
| FDD8447L | MOSFET N-CH 40V 15.2A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD8005 | 制造商:ELMEC 功能描述: |
| FDD8424H | 功能描述:MOSFET 40V Dual N & P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8424H_11 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel PowerTrench?? MOSFET N-Channel: 40V, 20A, 24m?? P-Channel: -40V, -20A, 54m?? |
| FDD8424H_F085 | 功能描述:MOSFET PT2 P-Channel and PT4 N-channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8424H_F085A | 功能描述:MOSFET Dual N&PCH PwrTrench +/- 40V,20A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。