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参数资料
| 型号： | FDD86110 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 12.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.2 毫欧 @ 12.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2265pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
150
5
120
V GS = 10 V
V GS = 8 V
V GS = 7 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
4
V GS = 5 V
V GS = 6 V
90
V GS = 6 V
3
V GS = 7 V
60
2
V GS = 8 V
30
V GS = 5 V
1
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 10 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
30
60
90
120
150
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
50
1.8
I D = 12.5 A
V GS = 10 V
40
I D = 12.5 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.6
1.4
30
1.2
1.0
0.8
20
10
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
4
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
150
120
90
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
150
100
10
1
V GS = 0 V
T J = 150 o C
60
30
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.1
0.01
T J = 25 o C
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
2
3
4
5
6
7
8
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD86110 Rev.C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDD86113LZ | MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 |
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| FDD86326 | MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDD86113LZ | 功能描述:MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86250 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86252 | 功能描述:MOSFET 150 N-CH PwrTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD86326 | 功能描述:MOSFET 80V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDD8647L | 功能描述:MOSFET 40/20V Nch Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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